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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 功率场效应晶体管

STB4NK60ZT4

加入BOM

STB4NK60ZT4
已加入BOM:

STMicroelectronics

N-channel 600 V, 1.7 Ohm typ., 4 A SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package

市场均价:
¥1.482
市场总库存:
37,657
生命周期状态: Active
2.3风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
STB4NK60ZT4
Brand Name
STMicroelectronics
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
针数
3
是否符合REACH标准
not_compliant
COO
登录后查看
ECCN代码
EAR99
交付时间
32 weeks 4 days
搜索热度
521
风险等级
2.26
YTEOL
登录后查看
雪崩能效等级(Eas)
120 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
600 V
最大漏极电流 (ID)
4 A
最大漏源导通电阻
2 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
245
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
16 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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