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Transistors > Power Field-Effect Transistors

STB4NK60ZT4

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STB4NK60ZT4
Added to BOM:

STMicroelectronics

N-channel 600 V, 1.7 Ohm typ., 4 A SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package

Market Average：
¥1.4888
Total Inventory：
11,010
Lifecycle Status： Active
2.3LowRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Source Content uid
STB4NK60ZT4
Brand Name
STMicroelectronics
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Pin Count
3
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
登录后查看
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
32 weeks 4 days
Popularity
527
Risk Rank
2.26
YTEOL
登录后查看
Avalanche Energy Rating (Eas)
120 mJ
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
600 V
Drain Current-Max (ID)
4 A
Drain-source On Resistance-Max
2 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level
1
Number of Elements
1
Number of Terminals
2
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)
245
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
70 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
16 A
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
YES
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form
GULL WING
Terminal Position
SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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