MT47H32M16NF-25E:H中文资料_PDF数据手册

MT47H32M16NF-25E:H

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DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84

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不含铅

符合

Active

BGA

FBGA-84

not_compliant

EAR99

8542.32.00.28

18 weeks

9173

1.03

FOUR BANK PAGE BURST

0.4 ns

AUTO/SELF REFRESH

400 MHz

COMMON

4,8

R-PBGA-B84

12.5 mm

536870912 bit

DDR2 DRAM

33554432 words

32000000

SYNCHRONOUS

85 °C

0 °C

32MX16

3-STATE

PLASTIC/EPOXY

TFBGA

BGA84,9X15,32

RECTANGULAR

260

Not Qualified

8192

1.2 mm

YES

4,8

0.01 A

0.215 mA

1.9 V

1.7 V

1.8 V

YES

CMOS

OTHER

BALL

0.8 mm

BOTTOM

8 mm

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MT47H32M16NF-25E:H TR Micron Technology Inc 也适用于 MT47H32M16NF-25E IT:H TR ,MT47H32M16NF-25E AIT:H ,MT47H32M16NF-25E:H TR 等其余

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