MT47H256M8EB-25E:C中文资料_PDF数据手册

MT47H256M8EB-25E:C

加入BOM

Micron Technology

DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

技术详情

价格 & 库存

详细参数

不含铅

符合

Active

BGA

TFBGA, BGA60,9X11,32

compliant

EAR99

8542.32.00.36

6 weeks 1 day

3028

1.04

MULTI BANK PAGE BURST

0.4 ns

AUTO/SELF REFRESH

400 MHz

COMMON

4,8

R-PBGA-B60

11.5 mm

2147483648 bit

DDR2 DRAM

268435456 words

256000000

SYNCHRONOUS

85 °C

0 °C

256MX8

3-STATE

PLASTIC/EPOXY

TFBGA

BGA60,9X11,32

RECTANGULAR

260

Not Qualified

8192

1.2 mm

YES

4,8

0.012 A

0.25 mA

1.9 V

1.7 V

1.8 V

YES

CMOS

OTHER

TIN SILVER COPPER

BALL

0.8 mm

BOTTOM

9 mm

显示更多价格 & 库存吗?

苏公网安备 32059002001042号

联系我们

美国总部

61 South Fair Oaks Avenue, Suite 200

Pasadena, CA 91105, USA

苏州总部

苏州工业园区月亮湾路 15 号中新大厦 4406-4411

江苏省苏州市, 215021

邮箱：service@bom2buy.com

电话：(0512) 62988549

MT47H256M8EB-25E:C

详细参数

价格走势

库存走势

站内导航

友情链接

联系我们

美国总部

苏州总部

创建 BOM

确认BOM数据

上传失败

正在上传

登录

MT47H256M8EB-25E:C

详细参数

价格走势

库存走势

完善邮箱信息

站内导航

友情链接

联系我们

美国总部

苏州总部