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Transistors > RF Power Field-Effect Transistors

LET9150

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LET9150
Added to BOM:

STMicroelectronics

150W 32V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in push-pull package

Market Average：
-
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Obsolete
9.4DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Source Content uid
LET9150
Brand Name
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4
Pin Count
4
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Popularity
438
Risk Rank
9.41
Case Connection
SOURCE
Configuration
SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min
80 V
Drain Current-Max (ID)
20 A
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band
L BAND
JESD-30 Code
R-PDFM-F4
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level
1
Number of Elements
1
Number of Terminals
4
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
269 W
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
YES
Terminal Finish
MATTE TIN
Terminal Form
FLAT
Terminal Position
DUAL
Transistor Application
AMPLIFIER
Transistor Element Material
SILICON
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