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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 射频场效应晶体管

LET9150

加入BOM

LET9150
已加入BOM:

STMicroelectronics

150W 32V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in push-pull package

市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态: Obsolete
9.4危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
LET9150
Brand Name
STMicroelectronics
生命周期
Obsolete
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4
针数
4
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
438
风险等级
9.41
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
80 V
最大漏极电流 (ID)
20 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带
L BAND
JESD-30 代码
R-PDFM-F4
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
4
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
269 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
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