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Transistors > Power Field-Effect Transistors

IXFR32N80P

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IXFR32N80P
Added to BOM:

Littelfuse Inc
  • IXYS Corporation
  • Littelfuse Inc

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN

Market Average：
¥155.9857
Total Inventory：
20
Lifecycle Status： Active
7.1HighRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Popularity
53
Risk Rank
7.1
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas)
1500 mJ
Case Connection
ISOLATED
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
800 V
Drain Current-Max (ID)
20 A
Drain-source On Resistance-Max
0.29 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
JESD-609 Code
e1
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
70 A
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
NO
Terminal Finish
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
10
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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