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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 功率场效应晶体管

IXFR32N80P

加入BOM

IXFR32N80P
已加入BOM:

Littelfuse Inc
  • IXYS Corporation
  • Littelfuse Inc

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN

市场均价：
¥107.2712
市场总库存：
76
生命周期状态： Transferred
8.2危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
包装说明
ISOPLUS247, 3 PIN
针数
3
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
54
风险等级
8.18
其他特性
AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）
1500 mJ
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
800 V
最大漏极电流 (ID)
20 A
最大漏源导通电阻
0.29 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
70 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN SILVER COPPER
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
10
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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