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Transistors > Power Field-Effect Transistors

IXFN60N60

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IXFN60N60
Added to BOM:

IXYS Corporation
  • ISC 无锡固电
  • IXYS Corporation

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIBLOC-4

Market Average：
¥420.5733
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Obsolete
9.6DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Pbfree Code
不含铅
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Pin Count
4
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Popularity
314
Risk Rank
9.58
YTEOL
登录后查看
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas)
4000 mJ
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
600 V
Drain Current-Max (ID)
60 A
Drain-source On Resistance-Max
0.08 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code
R-PUFM-X4
Number of Elements
1
Number of Terminals
4
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
700 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
240 A
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
NO
Terminal Finish
NICKEL
Terminal Form
UNSPECIFIED
Terminal Position
UPPER
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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