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IXFN60N60

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IXFN60N60
已加入BOM:

IXYS Corporation
  • ISC 无锡固电
  • IXYS Corporation

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIBLOC-4

市场均价：
¥281.6252
市场总库存：
-
生命周期状态： Obsolete
9.5危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数
4
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
313
风险等级
9.54
其他特性
AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）
4000 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
600 V
最大漏极电流 (ID)
60 A
最大漏源导通电阻
0.08 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PUFM-X4
元件数量
1
端子数量
4
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
700 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
240 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
NICKEL
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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