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Transistors > Power Field-Effect Transistors

ISL9N318AD3ST

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ISL9N318AD3ST
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Rochester Electronics LLC
  • ISC 无锡固电
  • ON Semiconductor
  • Rochester Electronics LLC

30A, 30V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

Market Average：
¥5.099
Total Inventory：
7,500
Lifecycle Status： Active
6.6HighRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Pbfree Code
不含铅
Part Life Cycle Code
Active
Reach Compliance Code
unknown
Popularity
13
Risk Rank
6.56
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
30 V
Drain Current-Max (ID)
30 A
Drain-source On Resistance-Max
0.018 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code
TO-252AA
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
Moisture Sensitivity Level
NOT SPECIFIED
Number of Elements
1
Number of Terminals
2
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Qualification Status
COMMERCIAL
Surface Mount
YES
Terminal Finish
NOT SPECIFIED
Terminal Form
GULL WING
Terminal Position
SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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