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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 功率场效应晶体管

ISL9N318AD3ST

加入BOM

ISL9N318AD3ST
已加入BOM:

Rochester Electronics LLC
  • ISC 无锡固电
  • ON Semiconductor
  • Rochester Electronics LLC

30A, 30V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

市场均价:
¥3.4098
市场总库存:
7,500
生命周期状态: Active
6.6风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

是否无铅
不含铅
生命周期
Active
是否符合REACH标准
unknown
搜索热度
13
风险等级
6.59
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
30 A
最大漏源导通电阻
0.018 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-252AA
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
湿度敏感等级
NOT SPECIFIED
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
COMMERCIAL
表面贴装
YES
端子面层
NOT SPECIFIED
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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