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Memory > DRAMs

IS42S81600J-6TL

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IS42S81600J-6TL
Added to BOM:

Integrated Silicon Solution, Inc.

Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54

Market Average：
-
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Active
7.2HighRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Package Description
TSOP2-54
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
登录后查看
ECCN Code
EAR99
HTS Code
8542.32.00.02
Popularity
0
Risk Rank
7.21
YTEOL
登录后查看
Access Mode
FOUR BANK PAGE BURST
Access Time-Max
5.4 ns
Additional Feature
AUTO/SELF REFRESH
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
I/O Type
COMMON
Interleaved Burst Length
1,2,4,8
JESD-30 Code
R-PDSO-G54
JESD-609 Code
e3
Length
22.22 mm
Memory Density
134217728 bit
Memory IC Type
SYNCHRONOUS DRAM
Memory Width
8
Moisture Sensitivity Level
3
Number of Functions
1
Number of Ports
1
Number of Terminals
54
Number of Words
16777216 words
Number of Words Code
16000000
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max
70 °C
Operating Temperature-Min
0 °C
Organization
16MX8
Output Characteristics
3-STATE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP2
Package Equivalence Code
TSOP54,.46,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Refresh Cycles
4096
Seated Height-Max
1.2 mm
Self Refresh
YES
Sequential Burst Length
1,2,4,8,FP
Standby Current-Max
0.03 A
Supply Current-Max
0.14 mA
Supply Voltage-Max (Vsup)
3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup)
3 V
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Surface Mount
YES
Technology
CMOS
Temperature Grade
COMMERCIAL
Terminal Finish
TIN
Terminal Form
GULL WING
Terminal Pitch
0.8 mm
Terminal Position
DUAL
Width
10.16 mm
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