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IS42S81600J-6TL

加入BOM

IS42S81600J-6TL
已加入BOM:

Integrated Silicon Solution, Inc.

Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54

市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态: Active
7.2风险等级:设计产品长期
技术详情
替代料

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
包装说明
TSOP2-54
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.02
搜索热度
0
风险等级
7.22
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
5.4 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
166 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G54
JESD-609代码
e3
长度
22.22 mm
内存密度
134217728 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
54
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
0 °C
组织
16MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP54,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
刷新周期
4096
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.03 A
最大压摆率
0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
宽度
10.16 mm
新建BOM