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IRF630

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IRF630
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  • STMicroelectronics

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

市场均价：
-
市场总库存：
196
生命周期状态： Transferred
8.3危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

是否Rohs认证
不符合
生命周期
Transferred
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
搜索热度
5549
风险等级
8.33
配置
SINGLE
最大漏极电流 (ID)
9 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码
e0
元件数量
1
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
75 W
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
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