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Transistors > Power Field-Effect Transistors

IRF630

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IRF630
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  • Harris Semiconductor
  • Inchange Semiconductor Company Ltd
  • International Rectifier
  • ISC 无锡固电
  • Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
  • NJ SEMI
  • Rochester Electronics LLC
  • STMicroelectronics

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Market Average：
-
Total Inventory：
294
Lifecycle Status： Obsolete
9.6DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
不符合
Part Life Cycle Code
Obsolete
Reach Compliance Code
unknown
ECCN Code
EAR99
Popularity
5546
Risk Rank
9.56
YTEOL
登录后查看
Configuration
SINGLE
Drain Current-Max (ID)
9 A
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609 Code
e0
Number of Elements
1
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)
235
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
75 W
Surface Mount
NO
Terminal Finish
TIN LEAD
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
10
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