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Transistors > Power Field-Effect Transistors

IPG20N04S4L08AATMA1

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IPG20N04S4L08AATMA1
Added to BOM:

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0082ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Market Average：
-
Total Inventory：
70,269
Lifecycle Status： Active
7.6DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Pbfree Code
不含铅
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Package Description
GREEN, PLASTIC, TDSON-8
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
登录后查看
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
12 weeks
Popularity
100
Risk Rank
7.61
YTEOL
登录后查看
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Avalanche Energy Rating (Eas)
145 mJ
Configuration
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
40 V
Drain Current-Max (ID)
20 A
Drain-source On Resistance-Max
0.0082 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code
R-PDSO-F8
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level
1
Number of Elements
2
Number of Terminals
8
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
80 A
Surface Mount
YES
Terminal Finish
Tin (Sn)
Terminal Form
FLAT
Terminal Position
DUAL
Transistor Element Material
SILICON
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