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IPG20N04S4L08AATMA1

加入BOM

IPG20N04S4L08AATMA1
已加入BOM:

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0082ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

市场均价：
-
市场总库存：
5,005
生命周期状态： Active
7.6危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
包装说明
GREEN, PLASTIC, TDSON-8
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
交付时间
12 weeks
搜索热度
99
风险等级
7.61
其他特性
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）
145 mJ
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
40 V
最大漏极电流 (ID)
20 A
最大漏源导通电阻
0.0082 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-F8
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
2
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
80 A
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管元件材料
SILICON
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