无法从文档中提取型号,请重试

Update your browser

Your browser (Internet Explorer) is out of date.

Update your browser for more security, comfort and the best experience for this site.

首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 射频双极晶体管

CBSL30B

加入BOM

CBSL30B
已加入BOM:

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态: Active
6.4风险等级:设计产品长期
技术详情

详细参数

生命周期
Active
包装说明
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
搜索热度
5
风险等级
6.37
最大集电极电流 (IC)
5 A
基于收集器的最大容量
25 pF
集电极-发射极最大电压
25 V
配置
SINGLE
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-CDFM-F4
元件数量
1
端子数量
4
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
新建BOM