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BSC027N04LSG

加入BOM

BSC027N04LSG
已加入BOM:

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 40V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

市场均价：
¥7.121
市场总库存：
60
生命周期状态： Not Recommended
9.1危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
BSC027N04LSG
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Not Recommended
包装说明
GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数
8
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
2049
风险等级
9.11
其他特性
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）
115 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
40 V
最大漏极电流 (ID)
24 A
最大漏源导通电阻
0.0041 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-F8
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
400 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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