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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 射频双极晶体管

VHB25-12S

加入BOM

VHB25-12S
已加入BOM:

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Active
6.4高风险等级:设计产品长期
技术详情

详细参数

生命周期
Active
包装说明
POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数
4
是否符合REACH标准
unknown
COO
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ECCN代码
EAR99
搜索热度
0
风险等级
6.41
YTEOL
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外壳连接
EMITTER
最大集电极电流 (IC)
4 A
基于收集器的最大容量
110 pF
集电极-发射极最大电压
18 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
20
最高频带
VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
O-CRPM-F4
元件数量
1
端子数量
4
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
ROUND
封装形式
POST/STUD MOUNT
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
65 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
FLAT
端子位置
RADIAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
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