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Transistors > RF Power Field-Effect Transistors

UF2815B

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UF2815B
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MACOM

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-6

Market Average：
¥880.6752
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Active
7.1HighRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Pbfree Code
不含铅
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Pin Count
6
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
HTS Code
8541.29.00.75
Popularity
368
Risk Rank
7.09
YTEOL
登录后查看
Configuration
SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min
65 V
Drain Current-Max (ID)
4.2 A
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)
7.2 pF
Highest Frequency Band
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code
R-CDFM-F6
Number of Elements
1
Number of Terminals
6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
200 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max
48.6 W
Power Dissipation-Max (Abs)
48.6 W
Power Gain-Min (Gp)
10 dB
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
NO
Terminal Form
FLAT
Terminal Position
DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Transistor Application
AMPLIFIER
Transistor Element Material
SILICON
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