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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 射频双极晶体管

TPV8100

加入BOM

TPV8100
已加入BOM:

RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.438 X 0.450 INCH, FM-4

市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态: Active
6.5风险等级:设计产品长期
技术详情

详细参数

生命周期
Active
包装说明
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数
4
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
搜索热度
148
风险等级
6.47
外壳连接
EMITTER
最大集电极电流 (IC)
12 A
配置
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-CDFM-F4
元件数量
2
端子数量
4
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
新建BOM