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TK14N65W5

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TK14N65W5
已加入BOM:

Toshiba America Electronic Components
  • ISC 无锡固电
  • Toshiba America Electronic Components

Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power MOSFET - Nch 500V<VDSS≤700V

市场均价：
¥16.6127
市场总库存：
-
生命周期状态： Active
7.7危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
TK14N65W5
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
交付时间
20 weeks
搜索热度
17
风险等级
7.66
雪崩能效等级（Eas）
231 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
650 V
最大漏极电流 (ID)
13.7 A
最大漏源导通电阻
0.3 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-247
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
54.8 A
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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