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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 功率场效应晶体管

STL40DN3LLH5

加入BOM

STL40DN3LLH5
已加入BOM:

STMicroelectronics

Automotive-grade dual N-channel 30 V, 0.016 Ohm typ., 11 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package

市场均价:
¥3.1421
市场总库存:
13,240
生命周期状态: Active
7.5危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

Source Content uid
STL40DN3LLH5
Brand Name
STMicroelectronics
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
包装说明
6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-8
针数
8
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
交付时间
26 weeks
搜索热度
1424
风险等级
7.55
外壳连接
DRAIN
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
11 A
最大漏源导通电阻
0.025 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-F6
元件数量
2
端子数量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
44 A
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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