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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 功率场效应晶体管

STL11N3LLH6

加入BOM

STL11N3LLH6
已加入BOM:

STMicroelectronics

N-channel 30 V, 6 mOhm typ., 11 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3 package

市场均价:
¥12.0171
市场总库存:
27,240
生命周期状态: Active
1.7风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

Source Content uid
STL11N3LLH6
Brand Name
STMicroelectronics
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
包装说明
3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-8
针数
8
是否符合REACH标准
not_compliant
COO
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ECCN代码
EAR99
交付时间
26 weeks
搜索热度
780
风险等级
1.68
YTEOL
登录后查看
其他特性
ULTRA-LOW RESISTANCE
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
11 A
最大漏源导通电阻
0.0095 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
S-PDSO-N8
元件数量
1
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
SQUARE
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
44 A
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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