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STGW30M65DF2

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STGW30M65DF2
已加入BOM:

STMicroelectronics
  • ISC 无锡固电
  • STMicroelectronics

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

市场均价：
¥10.355
市场总库存：
2,398
生命周期状态： Active
0.7低风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
STGW30M65DF2
Brand Name
STMicroelectronics
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
交付时间
15 weeks
搜索热度
286
风险等级
0.73
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
60 A
集电极-发射极最大电压
650 V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值
7 V
门极-发射极最大电压
20 V
JEDEC-95代码
TO-247
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
258 W
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
POWER CONTROL
晶体管元件材料
SILICON
标称断开时间 (toff)
310 ns
标称接通时间 (ton)
47 ns
VCEsat-Max
2 V
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