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Transistors > IGBTs

STGW30M65DF2

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STGW30M65DF2
Added to BOM:

STMicroelectronics
  • ISC 无锡固电
  • STMicroelectronics

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Market Average：
¥15.4505
Total Inventory：
3,327
Lifecycle Status： Active
0.7LowRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Source Content uid
STGW30M65DF2
Brand Name
STMicroelectronics
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
登录后查看
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
15 weeks
Popularity
288
Risk Rank
0.74
YTEOL
登录后查看
Case Connection
COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)
60 A
Collector-Emitter Voltage-Max
650 V
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-Emitter Thr Voltage-Max
7 V
Gate-Emitter Voltage-Max
20 V
JEDEC-95 Code
TO-247
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
258 W
Surface Mount
NO
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Transistor Application
POWER CONTROL
Transistor Element Material
SILICON
Turn-off Time-Nom (toff)
310 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
47 ns
VCEsat-Max
2 V
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