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Transistors > Power Field-Effect Transistors

STD19N3LLH6AG

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STD19N3LLH6AG
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STMicroelectronics
  • ISC 无锡固电
  • STMicroelectronics

Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package

Market Average：
¥1.0063
Total Inventory：
2,809
Lifecycle Status： Obsolete
8.3DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Source Content uid
STD19N3LLH6AG
Brand Name
STMicroelectronics
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Description
DPAK-3/2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Popularity
93
Risk Rank
8.25
Avalanche Energy Rating (Eas)
130 mJ
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
30 V
Drain Current-Max (ID)
10 A
Drain-source On Resistance-Max
0.05 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code
TO-252
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
Number of Elements
1
Number of Terminals
2
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
30 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
40 A
Reference Standard
AEC-Q101
Surface Mount
YES
Terminal Form
GULL WING
Terminal Position
SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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