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STD19N3LLH6AG

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STD19N3LLH6AG
已加入BOM:

STMicroelectronics
  • ISC 无锡固电
  • STMicroelectronics

Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package

市场均价：
¥3.6608
市场总库存：
2,799
生命周期状态： Obsolete
8.3危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
STD19N3LLH6AG
Brand Name
STMicroelectronics
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
包装说明
DPAK-3/2
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
93
风险等级
8.25
雪崩能效等级（Eas）
130 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
10 A
最大漏源导通电阻
0.05 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-252
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
40 A
参考标准
AEC-Q101
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
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