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STB85NF3LLT4

加入BOM

STB85NF3LLT4
已加入BOM:

STMicroelectronics

85A, 30V, 0.0095ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Obsolete
9.4危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
STB85NF3LLT4
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
包装说明
D2PAK-3
针数
3
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
163
风险等级
9.44
YTEOL
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配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
85 A
最大漏源导通电阻
0.0095 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
245
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
340 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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