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Transistors > Power Field-Effect Transistors

STB14NK60ZT4

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STB14NK60ZT4
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STMicroelectronics

N-channel 600 V, 0.45 Ohm typ., 13.5 A SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package

Market Average：
¥10.8232
Total Inventory：
7,500
Lifecycle Status： Active
7.6DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Source Content uid
STB14NK60ZT4
Brand Name
STMicroelectronics
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Package Description
LEAD FREE, D2PAK-3
Pin Count
3
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
登录后查看
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
13 weeks
Popularity
406
Risk Rank
7.57
YTEOL
登录后查看
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas)
300 mJ
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
600 V
Drain Current-Max (ID)
13.5 A
Drain-source On Resistance-Max
0.5 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level
1
Number of Elements
1
Number of Terminals
2
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)
245
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
160 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
54 A
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
YES
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form
GULL WING
Terminal Position
SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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