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Transistors > Power Field-Effect Transistors

SQM120N04-1M7_GE3

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SQM120N04-1M7_GE3
Added to BOM:

Vishay

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3/2

Market Average：
-
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Obsolete
9.5DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3/2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN Code
EAR99
Popularity
33
Risk Rank
9.5
YTEOL
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Avalanche Energy Rating (Eas)
361 mJ
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
40 V
Drain Current-Max (ID)
120 A
Drain-source On Resistance-Max
0.0017 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code
TO-263AB
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
Number of Elements
1
Number of Terminals
2
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
480 A
Surface Mount
YES
Terminal Form
GULL WING
Terminal Position
SINGLE
Transistor Element Material
SILICON
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