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Transistors > Small Signal Field-Effect Transistors

SQ2318AES-T1_GE3

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SQ2318AES-T1_GE3
Added to BOM:

Vishay

Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN

Market Average：
¥1.5387
Total Inventory：
641,922
Lifecycle Status： Obsolete
7.5DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Description
TO-236, SOT-23, 3 PIN
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
111 weeks
Popularity
3231
Risk Rank
7.54
Avalanche Energy Rating (Eas)
8 mJ
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
40 V
Drain Current-Max (ID)
8 A
Drain-source On Resistance-Max
0.031 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)
46 pF
JEDEC-95 Code
TO-236AB
JESD-30 Code
R-PDSO-G3
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level
1
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
32 A
Surface Mount
YES
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Terminal Form
GULL WING
Terminal Position
DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
10
Transistor Element Material
SILICON
Turn-off Time-Max (toff)
26.5 ns
Turn-on Time-Max (ton)
24 ns
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