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Transistors > Power Field-Effect Transistors

SPP15N60CFDXKSA1

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SPP15N60CFDXKSA1
Added to BOM:

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

Market Average：
¥26.3512
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Not Recommended
9.1DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Not Recommended
Package Description
TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Popularity
16
Risk Rank
9.1
YTEOL
登录后查看
Avalanche Energy Rating (Eas)
460 mJ
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
600 V
Drain Current-Max (ID)
13.4 A
Drain-source On Resistance-Max
0.33 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code
TO-220AB
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
33 A
Surface Mount
NO
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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