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SMDJ51CAHR7G

加入BOM

SMDJ51CAHR7G
已加入BOM:

Taiwan Semiconductor

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Obsolete
8.5危险风险等级:设计产品长期
技术详情

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
包装说明
SMC, 2 PIN
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
搜索热度
0
风险等级
8.47
其他特性
EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压
62.7 V
最小击穿电压
56.7 V
击穿电压标称值
59.7 V
最大钳位电压
82.4 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
DO-214AB
JESD-30 代码
R-PDSO-C2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值反向功率耗散
3000 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性
BIDIRECTIONAL
最大功率耗散
6.5 W
参考标准
AEC-Q101
最大重复峰值反向电压
51 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子面层
MATTE TIN
端子形式
C BEND
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
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