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Transistors > Power Field-Effect Transistors

SIS413DN-T1-GE3

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SIS413DN-T1-GE3
Added to BOM:

Vishay

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0094ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

Market Average：
¥3.9953
Total Inventory：
226,627
Lifecycle Status： Active
1.7LowRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Reach Compliance Code
unknown
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
12 weeks
Popularity
4049
Risk Rank
1.69
YTEOL
登录后查看
Avalanche Energy Rating (Eas)
20 mJ
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
30 V
Drain Current-Max (ID)
18 A
Drain-source On Resistance-Max
0.0094 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code
S-PDSO-C5
Number of Elements
1
Number of Terminals
5
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type
P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
70 A
Surface Mount
YES
Terminal Form
C BEND
Terminal Position
DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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