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SIS413DN-T1-GE3

加入BOM

SIS413DN-T1-GE3
已加入BOM:

Vishay

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0094ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

市场均价：
¥4.0142
市场总库存：
-
生命周期状态： Active
1.7低风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
交付时间
12 weeks
搜索热度
4036
风险等级
1.69
YTEOL
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雪崩能效等级（Eas）
20 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
18 A
最大漏源导通电阻
0.0094 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
S-PDSO-C5
元件数量
1
端子数量
5
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
SQUARE
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
70 A
表面贴装
YES
端子形式
C BEND
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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