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Transistors > Power Field-Effect Transistors

RFD4N06L

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RFD4N06L
Added to BOM:

Harris Semiconductor
  • Harris Semiconductor
  • ISC 无锡固电
  • Rochester Electronics LLC

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA

Market Average：
-
Total Inventory：
1,424
Lifecycle Status： Obsolete
9.1DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
不符合
Part Life Cycle Code
Obsolete
Reach Compliance Code
unknown
ECCN Code
EAR99
HTS Code
8541.29.00.95
Popularity
53
Risk Rank
9.1
YTEOL
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Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
60 V
Drain Current-Max (ID)
4 A
Drain-source On Resistance-Max
0.6 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code
TO-251AA
JESD-30 Code
R-PSIP-T3
JESD-609 Code
e0
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max
30 W
Power Dissipation-Max (Abs)
30 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
10 A
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
NO
Terminal Finish
TIN LEAD
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Turn-off Time-Max (toff)
200 ns
Turn-on Time-Max (ton)
150 ns
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