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PMEG3010ESB,314

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PMEG3010ESB,314
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NXP

Rectifier Diode

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Active
7.3高风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

生命周期
Active
包装说明
SOD-993, DSN1006-2, 2 PIN
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.80
交付时间
4 weeks
搜索热度
0
风险等级
7.32
应用
EFFICIENCY
最小击穿电压
30 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
0.565 V
JESD-30 代码
R-PBCC-N2
最大非重复峰值正向电流
10 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
1 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
最大功率耗散
0.525 W
参考标准
IEC-60134
最大重复峰值反向电压
30 V
最大反向电流
45 µA
最大反向恢复时间
0.0032 µs
反向测试电压
30 V
表面贴装
YES
技术
SCHOTTKY
端子形式
NO LEAD
端子位置
BOTTOM
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