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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 功率双极晶体管

NJVMJD31CT4G

加入BOM

NJVMJD31CT4G
已加入BOM:

ON Semiconductor

3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL, Automotive Qualified

市场均价:
¥2.4754
市场总库存:
230,938
生命周期状态: Active
1.6风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

Source Content uid
NJVMJD31CT4G
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
零件包装代码
DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252
包装说明
DPAK-3/2
针数
3
制造商包装代码
369C
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
交付时间
10 weeks
搜索热度
2707
风险等级
1.58
最大集电极电流 (IC)
3 A
集电极-发射极最大电压
100 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
10
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-65 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
15 W
参考标准
AEC-Q101
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
3 MHz
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