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Transistors > RF Small Signal Field-Effect Transistors

NE3210S01-T1B

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NE3210S01-T1B
Added to BOM:

NEC
  • California Micro Devices
  • NEC

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET

Market Average：
-
Total Inventory：
75
Lifecycle Status： Transferred
7.3HighRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Transferred
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Popularity
2043
Risk Rank
7.34
Case Connection
SOURCE
Configuration
SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min
3 V
Drain Current-Max (ID)
0.015 A
FET Technology
HETERO-JUNCTION
Highest Frequency Band
KU BAND
JESD-30 Code
O-XRDB-G4
Number of Elements
1
Number of Terminals
4
Operating Mode
DEPLETION MODE
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
ROUND
Package Style
DISK BUTTON
Peak Reflow Temperature (Cel)
230
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Gain-Min (Gp)
12 dB
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
YES
Terminal Form
GULL WING
Terminal Position
RADIAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
Transistor Application
AMPLIFIER
Transistor Element Material
SILICON
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