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MXPLAD30KP90AE3

加入BOM

MXPLAD30KP90AE3
已加入BOM:

Microchip Technology Inc

Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 90V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Active
6.9高风险等级:设计产品长期
技术详情

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
是否符合REACH标准
compliant
COO
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交付时间
40 weeks
搜索热度
0
风险等级
6.93
YTEOL
登录后查看
其他特性
HIGH RELIABILITY
最大击穿电压
111 V
最小击穿电压
100 V
击穿电压标称值
105.5 V
外壳连接
CATHODE
最大钳位电压
146 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
S-PSSO-G1
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值反向功率耗散
30000 W
元件数量
1
端子数量
1
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
SQUARE
封装形式
SMALL OUTLINE
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
2.5 W
认证状态
Not Qualified
参考标准
IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5; MIL-19500
最大重复峰值反向电压
90 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
新建BOM
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