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MSMBJ10CAE3

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MSMBJ10CAE3
已加入BOM:

Microchip Technology Inc

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Active
7.0高风险等级:设计产品长期
技术详情

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
包装说明
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
是否符合REACH标准
not_compliant
COO
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交付时间
40 weeks
搜索热度
13
风险等级
6.97
YTEOL
登录后查看
其他特性
HIGH RELIABILITY
最大击穿电压
12.3 V
最小击穿电压
11.1 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
DO-214AA
JESD-30 代码
R-PDSO-J2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值反向功率耗散
600 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-65 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性
BIDIRECTIONAL
最大功率耗散
1.38 W
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
10 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子面层
MATTE TIN
端子形式
J BEND
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
10
新建BOM
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