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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 射频双极晶体管

MRF892

加入BOM

MRF892
已加入BOM:

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态: Obsolete
8.3危险风险等级:设计产品长期
技术详情

详细参数

生命周期
Obsolete
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
搜索热度
0
风险等级
8.32
最大集电极电流 (IC)
2.5 A
集电极-发射极最大电压
30 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
10
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-CDFM-F6
元件数量
1
端子数量
6
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
50 W
最大功率耗散 (Abs)
50 W
最小功率增益 (Gp)
8.5 dB
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
新建BOM