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Transistors > RF Power Field-Effect Transistors

MRF7S27130HSR3

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MRF7S27130HSR3
Added to BOM:

NXP
  • NXP
  • Rochester Electronics LLC

S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

Market Average：
-
Total Inventory：
34
Lifecycle Status： Obsolete
9.5DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Source Content uid
MRF7S27130HSR3
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Description
ROHS COMPLIANT, CASE 465A-06, NI-780S, 3 PIN
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
HTS Code
8541.29.00.75
Factory Lead Time
4 weeks
Popularity
86
Risk Rank
9.48
YTEOL
登录后查看
Case Connection
SOURCE
Configuration
SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min
65 V
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band
S BAND
JESD-30 Code
R-XDFM-F2
Number of Elements
1
Number of Terminals
2
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
225 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
YES
Terminal Form
FLAT
Terminal Position
DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
40
Transistor Application
AMPLIFIER
Transistor Element Material
SILICON
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