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Transistors > RF Power Field-Effect Transistors

MRF6V2150NR1

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MRF6V2150NR1
Added to BOM:

NXP

UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270

Market Average：
¥475.2583
Total Inventory：
737
Lifecycle Status： Obsolete
8.9DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Source Content uid
MRF6V2150NR1
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Description
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB, 4 PIN
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN Code
EAR99
HTS Code
8541.29.00
Popularity
743
Risk Rank
8.9
Case Connection
SOURCE
Configuration
SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min
110 V
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95 Code
TO-270
JESD-30 Code
R-PDFM-F4
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level
3
Number of Elements
1
Number of Terminals
4
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
225 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
YES
Terminal Finish
TIN
Terminal Form
FLAT
Terminal Position
DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
40
Transistor Application
AMPLIFIER
Transistor Element Material
SILICON
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