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MJD127T4

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MJD127T4
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STMicroelectronics
  • Motorola Semiconductor Products
  • ON Semiconductor
  • Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
  • STMicroelectronics

8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

市场均价：
-
市场总库存：
2,662
生命周期状态： Transferred
7.2高风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

生命周期
Transferred
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
搜索热度
2936
风险等级
7.17
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
8 A
基于收集器的最大容量
300 pF
集电极-发射极最大电压
100 V
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)
100
JESD-30 代码
R-PDSO-G2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
PNP
功耗环境最大值
20 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
4 MHz
最大关闭时间（toff）
3500 ns
VCEsat-Max
4 V
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