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MCM6264BP25

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MCM6264BP25
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Motorola Semiconductor Products

Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Obsolete
9.8危险风险等级:设计产品长期
技术详情
替代料

详细参数

是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
包装说明
DIP, DIP28,.3
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.41
搜索热度
0
风险等级
9.81
最长访问时间
25 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDIP-T28
JESD-609代码
e0
长度
34.67 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
0 °C
组织
8KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
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