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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 射频场效应晶体管

LF2805A

加入BOM

LF2805A
已加入BOM:

MACOM

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

市场均价:
¥842.6502
市场总库存:
-
生命周期状态: Active
7.1风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
308
风险等级
7.11
YTEOL
登录后查看
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
65 V
最大漏极电流 (ID)
1.4 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
S-CDFM-F2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
SQUARE
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
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